国外科研人员发现了基于超导体/铁磁体堆栈多层薄膜中的无场超导二极管效应。这一效应可用于制造工作温度接近绝对零度的非易失性存储设备和节能逻辑元器件。研究结果发表在《自然纳米技术》上。
科研人员提出在研制超导二极管时使用关于空间反转的镜像对称破缺，将1.7nm厚的铁磁体钴(Co)层引入到起超导介质作用的基于铌(Nb)和钒(V)的多层膜。对通过磁控溅射得到的多层膜进行微加工以形成微线，形成触点并通过光刻法将其连接并测量电阻。在实验过程中，对多层膜表面上沿与电流正交的方向施加外部磁场，从而控制铁磁体钴(Co)层的磁化方向。超导和铁磁性不仅可在Nb/V/Co/V/Ta超晶格中共存，还可通过改变Co层的磁化方向和施加电流的极性，从而在没有外部磁场的状态下证明超导二极管效应。
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